Accord entre Infineon et Panasonic sur la technologie GaN de 600 V

Infineon Technologies et Panasonic ont annoncé mercredi un accord pour produire conjointement des composants d’alimentation au nitrure de gallium (GaN) basés sur la structure de transistor GaN sur silicium normalement fermée (mode d’enrichissement) de Panasonic, intégrée sur les composants montés en surface (CMS) d’Infineon.

Dans ce cadre, Panasonic a mis sous licence auprès d’Infineon sa structure de transistor GaN normalement fermée.

Cet accord permettra à chacune des sociétés de fabriquer des composants GaN hautement performants. Les clients pourront profiter de deux sources de commutateurs de puissance GaN compatibles : une configuration non disponible sur aucun autre composant GaN sur silicium à ce jour.

La technologie GaN sur silicium est considérée comme l’une des technologies de semiconducteurs composites de future génération qui permettront d’une part une haute densité de puissance, et donc une empreinte moindre (par ex., pour les blocs d’alimentation et les adaptateurs) et d’autre part qui serviront à l’amélioration de l’efficacité énergétique.

En général, les composants d’alimentation basés sur la technologie GaN sur silicium ont de nombreux usages, des applications industrielles haute tension comme les blocs d’alimentation des centres de serveurs (application potentielle du composant GaN de 600 V présenté) aux applications basse tension telle que la conversion AC-CC (par ex., dans les biens de grande consommation haute technologie).

Selon une étude de marché IHS, le marché du GaN sur silicium pour les semiconducteurs de puissance devrait afficher un taux de croissance annuel composé (TCAC) de plus de 50 %, menant à une expansion du volume de 15 millions USD en 2014 à 800 millions USD d’ici à 2023.

« Infineon se consacre au service de ses clients avec son large portefeuille des meilleurs produits et services, notamment ses composants d’alimentation fiables au nitrure de gallium. Nous sommes convaincus que les commutateurs GaN sur silicium à enrichissement, associés à notre pilote et au programme du pilote optimisé correspondants, apporteront une grande valeur à nos clients. Quant au double sourçage, il leur permettra de gérer et de stabiliser leur chaîne de production », a déclaré Andreas Urschitz, président de la division Gestion et multimarchés de l’alimentation d’Infineon Technologies AG.

« Panasonic a développé sa technologie d’alimentation GaN normalement fermée, simple de configuration et aux dynamiques facilement contrôlables, en tirant pleinement parti de son expérience dans le domaine des semiconducteurs composites. Nous prévoyons d’accélérer l’expansion des composants alimentés par GaN en mettant sous licence, auprès d’Infineon, la structure de transistor GaN normalement fermée tirée de notre technologie d’alimentation GaN. Nous continuerons sans relâche à rechercher des solutions pour répondre aux demandes des consommateurs en poursuivant les innovations sur notre technologie GaN normalement fermée », a déclaré Toru Nishida, président de Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.

** Pour la première fois, les sociétés présenteront des échantillons de composants 70 m-ohm de 600 V au sein d’un DSO (Dual Small Outline) lors du salon Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), qui se tiendra du 15 au 19 mars 2015 à Charlotte, en Caroline du Nord.

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