Des tranches de silicium plus fines avec le PolyMax

La société Silicon Genesis, experte dans le traitement des substrats, a annoncé jeudi qu’elle avait commencé la production de tranches solaires (Wafers) à l’aide de son nouveau système de fabrication à grand volume PolyMax.

Pour la première fois dans le secteur, SiGen a produit des tranches de silicium monocristallin sans trait de scie de 85µm d’épaisseur, et de 156 mm carrés. Le kerf est le matériau converti en sciure inhérent à tous les procédés de sciage. Cette réalisation constitue le premier vrai découpage en tranches mono c-Si sans trait de scie du secteur photovoltaïque (PV).

Avec l’introduction du système de fabrication à grand volume PolyMax, le secteur se rapproche de plus en plus du remplacement des procédés de scie à fil par une solution de découpage en tranches sans déchets moins coûteuse. Selon Silicon Genesis, l’un des atouts clés du système PolyMax est sa capacité à produire des tranches plus minces que celles réalisées à l’aide de la technologie de scie à fil, ce qui permet au secteur de produire des cellules plus efficaces en termes de conversion et moins coûteuses.

« Nous estimons que l’avantage d’utiliser des tranches sans trait de scie va permettre au secteur PV d’atteindre une parité de réseau non subventionnée. Le lancement de notre système de fabrication à grand volume est une étape clé vers la réalisation de cet objectif, » a déclaré François Henley, président-directeur général de SiGen.

Invité à faire une présentation au 35ème Congrès des spécialistes PV de l’IEEE, M. Henley a passé en revue les technologies de découpage en tranches de silicium cristallin sans trait de scie. SiGen va présenter le système de production PolyMax (2CV.1.53) lors de la prochaine 25ème Conférence et exposition européenne sur l’énergie solaire photovoltaïque (25ème EU PVSEC) à Valence, en Espagne.

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2 Commentaires sur "Des tranches de silicium plus fines avec le PolyMax"

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michel123
Invité

Pourrait on savoir comment on peut découper du silicium sans sciage ?

7827
Invité
Michel, cet article presente un procede de decoupe sans sciage par implantion ionique d’hydrogene, toutefois comme toutes annonces on ne connait pas la productivité du systeme et c’est un point clé dans la reduction des couts,egalement et actuellement l’industrie n’est pas capable de traiter des epaisseurs de 85µm, 150 pose deja des problemes de casses durant le process le procédé de sciage decoupe des wafers de 150 µm avec une kerf loss de 180µm total 330µm et sa productivité est correcte donc le procédé sil est competitif sera adopté par l’industrie mais d’apres les infos disponibles meyers burger prend des… Lire plus »
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