Les électrons voyagent 100x plus vite dans le graphène

Les résultats des physiciens de l’Université du Maryland, publiés dans la revue Nature Nanotechnology, indiquent que le graphène devient un matériau très prometteur dans le remplacement des semi-conducteurs classiques comme le silicium.

Les chercheurs viennent de mesurer l’effet des vibrations thermiques sur la conduction des électrons dans le graphène, et montrent que ces dernières ont un effet extraordinairement faible sur les électrons.

En d’autres termes, par rapport au silicium classique les électrons peuvent voyager 100 fois plus rapidement dans un matériau de type graphène à cause d’une résistance électrique faible.

En effet, la vibration des atomes du graphène à température ambiante produit une résistivité de l’ordre de 1,0 microOhm-cm (la résistivité est une mesure spécifique de la résistance). C’est 35% moins que le cuivre, le plus faible matériau connu en résistivité à température ambiante.

Le graphène deviendrait donc un matériau très prometteur pour la chimie (puces d’ordinateurs) et les applications biochimiques (capteurs). La faible résistivité du graphène trouve également des applications dans la résistance mécanique, la conductivité électrique et les films transparents. Par ailleurs, ce sont ces films qui font actuellement défaut dans diverses applications électroniques, telles que les écrans tactiles ou les les cellules photovoltaïques.

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1 Commentaire sur "Les électrons voyagent 100x plus vite dans le graphène"

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Guydegif(91)
Invité

…matériau très prometteur…100 x plus conducteur aux électrons que le silicium…OK, très bien, mais il vient d’où? on le fait comment? facilité de fabrication avec pureté requise? Merci de nous dire. A+ Salutations Guydegif(91)

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