Silicium-sur-isolant : Soitec et SunEdison trouvent un accord de licence

Soitec et SunEdison ont annoncé mardi avoir conclu un accord de licences croisées relatif à leurs brevets liés aux substrats de silicium-sur-isolant (SOI), leur permettant un accès aux portefeuilles respectifs en matière de brevets pour les technologies SOI, mettant fin à tous les litiges en suspens entre elles.

"Cet accord représente une étape clé dans le développement continu d’une chaîne d’approvisionnement solide dans l’écosystème SOI", a déclaré Christophe Maleville, vice-président de la division Digital Electronics de Soitec. "Il démontre également le rôle clé des substrats SOI pour la feuille de route actuelle et future des dispositifs CMOS."

"SunEdison est à la pointe de l’innovation liée aux substrats de silicium depuis plus de 50 ans avec un solide portefeuille de brevets", a ajouté Horacio Mendez, vice-président Semiconductor Advanced Solutions de SunEdison. "Cette coopération renforce l’offre produits SOI de SunEdison et améliore la capacité de nos deux sociétés à fournir des solutions SOI adaptées aux besoins de nos clients."

L’accord, donne accès à un portefeuille de brevets des deux sociétés, couvre la fabrication de substrats existants tels que le SOI partiellement déplété (PD- SOI), le SOI totalement déplété (FD- SOI) et le SOI pour applications radiofréquence (RF- SOI) ainsi que les produits avancés FinFET.

Outre les technologies actuelles inclues dans l’accord, Soitec et SunEdison ont convenu de s’accorder mutuellement le droit d’utiliser leurs brevets respectifs en propriété exclusive à des fins de recherche et de développement pour des applications au-delà du nœud 10 nm.

Cela permettra aux deux entreprises de développer des produits dans lesquels la couche active (dans laquelle les dispositifs sont fabriqués) est constituée d’un matériau semi-conducteur autre que du silicium simple et non contraint, tel qu’un composé de silicium-germanium, du germanium ou des matériaux III-V. Ces matériaux semi-conducteurs avancés permettent la fabrication de transistors à canal à haute mobilité pour les applications numériques de prochaines générations.

Les autres conditions de l’accord n’ont pas été divulguées.

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