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	<description>L&#039;énergie au quotidien</description>
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		<title>MoS2 : Une mobilité accrue grâce au dopage au vanadium</title>
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		<pubDate>Tue, 09 Jan 2024 18:05:00 +0000</pubDate>
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					<description><![CDATA[Le dopage par substitution des éléments étrangers se distingue comme une méthode privilégiée pour ajuster précisément la structure de bande électronique, le type de conduction et la concentration de porteurs de matériaux purs. Cette technique, déjà éprouvée dans le domaine du silicium monocristallin tridimensionnel, ouvre désormais de nouvelles perspectives dans le domaine des semi-conducteurs bidimensionnels. [&#8230;]]]></description>
		
		
		
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