Le groupe Toshiba a annoncé le développement d’une technologie basse consommation innovante pour la SRAM, un type de mémoire vive, intégrée dans les smartphones et autres produits mobiles.
Cette nouvelle technologie réduirait la consommation d’énergie en mode actif et veille à des températures allant de la température ambiante à haute température. Des essais sur un prototype ont confirmé une réduction de 27 % de la consommation d’énergie en mode actif et de 85 % en mode veille à 25° C.
Toshiba a d’ailleurs présenté son produit à la conférence International Solid-State Circuit Conference 2013 qui s’est tenue à San Francisco, en Californie, le 20 février.
Une plus longue durée de vie de la batterie exige une consommation d’énergie plus faible en mode hautes performances comme en mode performances faibles (décodage MP3, traitement en arrière-plan, etc.). Comme les applications de faibles performances exigent uniquement quelques dizaines de MHz, la SRAM demeure proche de la Température Ambiante, avec une consommation d’énergie en mode actif ou en fuite comparables. Par conséquent, il s’agit de réduire la consommation d’énergie en mode actif ou veille d’une Haute Température à la Température Ambiante.
La nouvelle technologie de Toshiba applique une CCLB et un CRCN. La CCLB réduit la consommation en mode actif de la SRAM sous certaines conditions en surveillant la consommation courante des circuits de repos SRAM. Le CRCN diminue sensiblement la consommation en mode veille du circuit de rétention en s’activant périodiquement pour actualiser la taille du tampon du pilote de rétention.
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