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Microélectronique : un nouveau matériau qui résiste à 1 000 degrés Celsius

Microélectronique : un nouveau matériau qui résiste à 1 000 degrés Celsius

par La rédaction
25 octobre 2023
en Matériaux, Technologie

Des chercheurs en matériaux allemands ont franchi une étape supplémentaire dans le développement et la structuration de nouveaux matériaux pour les dispositifs à semi-conducteurs de nouvelle génération, comme les cellules de mémoire.

Ils ont démontré que le nitrure d’aluminium scandium ferroélectrique peut être réduit à quelques nanomètres et peut stocker différents états, les rendant approprié comme nanocommutateur.

Un semi-conducteur stable et puissant

Les chercheurs ont également démontré que le nitrure d’aluminium scandium est un matériau semi-conducteur particulièrement stable et puissant pour les technologies actuelles basées sur le silicium, le carbure de silicium et le nitrure de gallium.

Contrairement à la microélectronique d’aujourd’hui, le matériau peut résister à des températures extrêmes allant jusqu’à 1 000 degrés Celsius. Cela ouvre des applications telles que le stockage d’informations ou les capteurs pour les processus de combustion dans les moteurs ou les turbines, dans l’industrie chimique ou dans l’industrie sidérurgique.

Des applications concrètes pour la première fois

Le nitrure d’aluminium scandium peut désormais être utilisé pour produire des composants de quelques nanomètres de taille et peut être intégré dans la technologie semi-conductrice existante.

« Cela signifie que nous quittons la recherche fondamentale et pouvons vraiment penser aux applications pour la première fois » a indiqué le Dr Niklas Wolff du Centre de recherche collaborative 1261 « Capteurs magnétoélectriques » à l’Université de Kiel. Le réseau de recherche interdisciplinaire utilise déjà le matériau dans des prototypes de capteurs pour le diagnostic médical.

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Le microscope montre ce qui se passe lorsque le nitrure d’aluminium et de scandium est commuté et que l’orientation polaire du matériau change. Au départ, l’atome d’azote se trouve au-dessus de l’atome d’aluminium (polarité N, à gauche). Lorsqu’une tension est appliquée, la structure pivote de 180 degrés et l’atome d’azote se trouve maintenant sous l’atome d’aluminium (polarité M, à droite). Le changement ne se produit pas partout dans le matériau en même temps, mais se termine au niveau de la ligne pointillée. [Adv. Sci. 2023, Volume 10, Issue 25, 302296, September 5, 2023, DOI : 10.1002/advs.202302296]

Plus stable que les systèmes de stockage en silicium précédents

Dans le cadre du projet BMBF «SALSA», les chercheurs en matériaux ont également pu montrer que les cellules de mémoire en nitrure d’aluminium scandium sont nettement plus stables que les mémoires en silicium utilisées jusqu’à présent.

« Nos cellules de mémoire ont conservé leurs informations lors de tests à 1 000 degrés Celsius. Les mémoires en silicium disponibles aujourd’hui ne fonctionnent qu’à un maximum de 150 degrés« , ajoute le Dr. Simon Fichtner. Cela permet de les utiliser dans des conditions extrêmes, comme celles que l’on trouve dans de nombreux processus de production industrielle.

En synthèse

Le nitrure d’aluminium scandium demeure un matériau ferroélectrique qui offre des avantages significatifs pour la microélectronique. Il est capable de réduire à quelques nanomètres, stocker différents états et résister à des températures extrêmes. Ces caractéristiques le rendent idéal pour une variété d’applications telles que le stockage d’informations, les capteurs pour les processus de combustion et les composants microélectroniques. Enfin, il a été démontré qu’il est plus stable que les systèmes de stockage en silicium actuels, ouvrant la voie à son utilisation dans des conditions extrêmes.

Pour une meilleure compréhension

Qu’est-ce que le nitrure d’aluminium scandium ?

Le nitrure d’aluminium scandium est un matériau ferroélectrique qui peut être réduit à quelques nanomètres et peut stocker différents états, ce qui le rend approprié comme nanocommutateur. Il est particulièrement stable et puissant pour les technologies semi-conductrices actuelles.

Quels sont les avantages du nitrure d’aluminium scandium ?

Contrairement à la microélectronique d’aujourd’hui, le nitrure d’aluminium scandium peut résister à des températures extrêmes allant jusqu’à 1 000 degrés Celsius. De plus, il a été démontré qu’il est plus stable que les systèmes de stockage en silicium actuels.

Quelles sont les applications potentielles du nitrure d’aluminium scandium ?

Le nitrure d’aluminium scandium peut être utilisé pour le stockage d’informations, les capteurs pour les processus de combustion dans les moteurs ou les turbines, dans l’industrie chimique ou dans l’industrie sidérurgique. Il peut également être utilisé pour produire des composants de quelques nanomètres de taille et peut être intégré dans la technologie semi-conductrice existante.

Le nitrure d’aluminium scandium approprié pour une utilisation extrême ?

Les cellules de mémoire en nitrure d’aluminium scandium ont conservé leurs informations lors de tests à 1 000 degrés Celsius, ce qui les rend appropriées pour une utilisation dans des conditions extrêmes, comme celles que l’on trouve dans de nombreux processus de production industrielle.

Qu’est-ce qui rend le nitrure d’aluminium scandium intéressant pour la recherche ?

Le nitrure d’aluminium scandium appartient au groupe des matériaux ferroélectriques, qui ont attiré un grand intérêt dans la communauté de recherche internationale. Les propriétés électriques de ces matériaux peuvent être modifiées de manière contrôlée depuis l’extérieur, ils peuvent être ‘commutés’ entre deux états, ce qui les rend très intéressants pour les applications industrielles.

Les résultats de cette recherche ont été publiés dans le journal Advanced Science. L’étude faisait partie d’un projet de recherche qui réunit la recherche fondamentale en développement de matériaux et les applications en microélectronique. Il est financé par le Ministère fédéral allemand de l’Éducation et de la Recherche à hauteur de 2,15 millions d’euros.

In-Grain Ferroelectric Switching in Sub-5 nm Thin Al0.74Sc0.26N Films at 1 V. Georg Schönweger, Niklas Wolff, Md Redwanul Islam, Maike Gremmel, Adrian Petraru, Lorenz Kienle, Hermann Kohlstedt, Simon Fichtner. Adv. Sci. 2023, Volume 10, Issue 25, 302296, September 5, 2023, DOI: 10.1002/advs.202302296

Légende illustration principale : Un regard à l’échelle nanométrique : Le Dr Niklas Wolff utilise un microscope électronique à transmission à balayage pour analyser la structure atomique du matériau. Comme il peut passer d’un état à l’autre, il peut être utilisé comme mémoire. © Julia Siekmann, Uni Kiel

Tags: aluminiumferroelectriquemicroelectroniquenanocommutateurnitrurescandiumsemi-conducteur
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