L’ajout d’impuretés ou des « dopants » à des matériaux semiconducteurs purs est à la base de l’électronique moderne et les chercheurs tentent de voir comment le faire à l’échelle du nanomètre, en introduisant des atomes étrangers dans des semi-conducteurs nanométriques.
David Mocatta et ses collègues de l’Université Hébraïque à Jérusalem rapportent que les propriétés électroniques de nanocristaux de semi-conducteur peuvent être modulées par la diffusion en leur sein d’impuretés métalliques même à des concentrations relativement élevées.
Ils ont ainsi introduit des impuretés de cuivre, d’argent ou d’or dans des nanocristaux d’arséniure d’indium ou « boîtes quantiques » et montré que ce procédé pouvait être servir à faire varier les niveaux d’énergie de Fermi des boîtes. Cette capacité à ajuster les niveaux d’énergie devrait servir à faire des appareils électroniques reposant sur des boîtes quantiques tels que des cellules photovoltaïques et des diodes photoémettrices.
Dans un article Perspective associé, Y. Charles Cao explique le concept de dopage et revient en détail sur ce travail.
« Heavily Doped Semiconductor Nanocrystal Quantum Dots » par D. Mocatta, J. Schattner, O. Millo, U. Banin de l’Université Hébraïque à Jérusalem, Israël ; G. Cohen et E. Rabani de l’Université de Tel Aviv à Tel-Aviv, Israël.
