Un accord de partenariat portant sur le développement conjoint de ‘pseudo-substrats’ en nitrure de gallium (GaN) utilisant la méthode d’épitaxie en phase vapeur aux hydrures (Hydride Vapor Phase Epitaxy – HVPE) a été signé entre le français Soitec, et la société chinoise Chongqing Silian Optoelectronics, fournisseur de l’industrie de l’éclairage.
Les pseudo-substrats de GaN ainsi obtenus vont permettre de fabriquer des diodes électroluminescentes (LED) performantes en réalisant des économies substantielles. L’accord de développement conjoint signé par les 2 sociétés permettra de valider les concepts de fabrication et la commercialisation de ces pseudo-substrats en nitrure de gallium utilisant les substrats de saphir de Silian et la technologie HVPE de Soitec. Les deux partenaires envisagent d’échantillonner les premiers pseudo-substrats en GaN cette année.
« Notre stratégie était d’utiliser les caractéristiques des équipements d’épitaxie utilisés couramment en production dans l’industrie des semi-conducteurs à partir de silicium et d’y ajouter notre système original d’injection de la source de gallium pour créer un équipement HVPE de haute productivité. Nous avons ensuite développé avec succès des procédés de croissance cristalline extrêmement rapide qui permettent de réaliser ces pseudo-substrats en nitrure de gallium de façon nettement moins onéreuse qu’avec la technique d’épitaxie en phase vapeur utilisant des organométalliques beaucoup plus couteux (MOVPE) » a déclaré Chantal Arena, Directrice générale de Soitec Phoenix Labs, où a été développé la technologie HVPE.
« Silian se félicite de collaborer avec Soitec et d’adopter sa technologie HVPE », a déclaré David Reid, Directeur général (COO) de Silian. « Grâce à l’expansion de nos activités de fabrication de substrats en saphir en Chine, nous sommes bien positionnés pour saisir cette opportunité et proposer ces pseudo-substrats à moindre coût à nos clients de substrats en saphir. »
« Cette évolution de la technologie HVPE inaugure un modèle économique révolutionnaire grâce auquel les fabricants de diodes LED pourront libérer jusqu’à 60 % de leur capacité MOVPE. Les fabricants de diodes LED peuvent à présent se concentrer sur l’amélioration des couches les plus délicates, qui constituent la partie électroluminescente des diodes », a déclaré André-Jacques Auberton-Hervé, Président-Directeur général de Soitec. « Outre cette opportunité commerciale, nous explorons la possibilité d’élargir notre coopération avec Silian dans le domaine de l’éclairage par LED, en utilisant l’expertise en croissance épitaxiale accumulée par Soitec Phoenix Labs, notre filiale basée en Arizona. »
Xiaobo Xiang, Président de China Silian Instruments Group, maison-mère de Silian, a ajouté : « Soitec et Silian disposent de technologies complémentaires très attractives. C’est pourquoi nous sommes impatients d’explorer avec Soitec les opportunités commerciales que peuvent offrir les vastes marchés des matériaux, des diodes LED et de l’éclairage à nos deux entreprises. »
