Le groupe Panasonic a annoncé le lancement du plus petit boîtier sur le marché destiné aux transistors de puissance au nitrure de gallium (GaN) de 600 V à mode d’enrichissement. Le GaN est encapsulé dans un boîtier (DFN) monté en surface de 8×8. Le nitrure de gallium est un...
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Infineon Technologies et Panasonic ont annoncé mercredi un accord pour produire conjointement des composants d’alimentation au nitrure de gallium (GaN) basés sur la structure de transistor GaN sur silicium normalement fermée (mode d’enrichissement) de Panasonic, intégrée sur les composants...
Interviewée lundi matin sur "BFM TV-RMC" dans l’émission de Jean-Jacques Bourdin, Ségolène Royal, Ministre de l’écologie et de l’énergie a précisé ses positions sur la question de l’énergie nucléaire, du modèle énergétique...
Le français Soitec et le japonais Sumitomo Electric Industries, l’un des premiers fournisseurs mondiaux de semi-conducteurs composés, ont annoncé la signature d’un accord de licence et de transfert de technologie. Cet accord va permettre à Sumitomo Electric d’utiliser la technologie propriétaire...
La Ministre de l’Écologie, du Développement durable et de l’Énergie, Delphine BATHO a demandé à la Direction Générale de l’Énergie et du Climat (DGEC) de saisir pour avis la Commission de Régulation de l’Énergie (CRE) d’un projet...
Un accord de partenariat portant sur le développement conjoint de ‘pseudo-substrats’ en nitrure de gallium (GaN) utilisant la méthode d’épitaxie en phase vapeur aux hydrures (Hydride Vapor Phase Epitaxy – HVPE) a été signé entre le français Soitec, et la société...
