Une entreprise issue de l’Université de Lancaster, Quinas Technology, a obtenu un financement pour commercialiser une mémoire informatique universelle, ULTRARAM™, qui pourrait transformer le marché mondial des mémoires.
Quinas Technology Ltd., une entreprise créée à partir de l’Université de Lancaster, a reçu une subvention de 300 000 £ de la part d’Innovate UK pour commercialiser la mémoire informatique universelle ULTRARAM™.
Les caractéristiques d’ULTRARAM™
ULTRARAM™ associe les meilleures propriétés de la DRAM et de la mémoire flash en un seul dispositif. Cette mémoire est rapide, non volatile, possède une grande endurance et est bien plus économe en énergie que toute autre technologie de mémoire. Elle tire parti d’un processus quantique appelé tunneling résonnant pour obtenir ces propriétés exceptionnelles.
L’inventeur d’ULTRARAM™ est le professeur Manus Hayne du département de physique de l’Université de Lancaster et directeur scientifique de Quinas. Il a précisé : « C’est une première étape importante pour une entreprise nouvellement créée et cela donne le coup d’envoi de la course à la commercialisation d’ULTRARAM, mais ce sera un marathon, pas un sprint. Nous sommes impatients de relever les défis qui nous attendent. »
Le programme ICURe et la reconnaissance d’ULTRARAM™
La subvention d’Innovate UK fait suite à la réussite du programme intensif et très compétitif ICURe, conçu pour valider la viabilité commerciale des sciences de pointe et faciliter la création de spin-offs. Seules les idées les plus prometteuses réussissent à « sortir » de la présentation devant le panel ICURe, et encore moins obtiennent un financement par la suite.
Le directeur technique de Quinas, le Dr Peter Hodgson, qui a dirigé la soumission à ICURe, a déclaré : « Cette subvention est une reconnaissance éclatante d’ULTRARAM et de son potentiel commercial. Le financement nous permettra de démontrer les performances des dispositifs de mémoire à des tailles de caractéristiques proches de l’état de l’art et d’aider à sécuriser l’investissement important nécessaire pour commercialiser une nouvelle technologie. »
Impact potentiel sur le marché mondial des mémoires
Les évaluateurs ont été particulièrement impressionnés par la nature très innovante du projet, avec un impact potentiellement révolutionnaire sur le marché mondial des mémoires, estimé à 160 milliards de dollars, et la perspective de créer un nouveau secteur industriel au Royaume-Uni.
Quinas Technology est dirigée par le PDG et entrepreneur en deep-tech, James Ashforth-Pook.
En synthèse
Quinas Technology, une entreprise issue de l’Université de Lancaster, a obtenu un financement d’Innovate UK pour commercialiser ULTRARAM™, une mémoire informatique universelle prometteuse. Cette technologie, qui combine les meilleures propriétés de la DRAM et de la mémoire flash, pourrait avoir un impact significatif sur le marché mondial des mémoires et contribuer à la création d’un nouveau secteur industriel au Royaume-Uni.
Pour une meilleure compréhension
1. Qu’est-ce qu’ULTRARAM™ ?
ULTRARAM™ est une mémoire informatique universelle qui combine les meilleures propriétés de la DRAM et de la mémoire flash en un seul dispositif. Elle est rapide, non volatile, possède une grande endurance et est très économe en énergie.
2. Comment fonctionne ULTRARAM™ ?
ULTRARAM™ tire parti d’un processus quantique appelé tunneling résonnant pour obtenir ses propriétés exceptionnelles.
3. Qui a inventé ULTRARAM™ ?
Le professeur Manus Hayne du département de physique de l’Université de Lancaster et directeur scientifique de Quinas est l’inventeur d’ULTRARAM™.
4. Quel est le montant du financement reçu par Quinas Technology ?
Quinas Technology Ltd. a reçu une subvention de 300 000 £ de la part d’Innovate UK pour commercialiser ULTRARAM™.
5. Quel est le potentiel d’ULTRARAM™ sur le marché mondial des mémoires ?
ULTRARAM™ a un impact potentiellement révolutionnaire sur le marché mondial des mémoires, estimé à 160 milliards de dollars, et pourrait contribuer à la création d’un nouveau secteur industriel au Royaume-Uni.
Légende illustration principale : ULTRARAM™ combine les meilleures propriétés de la DRAM et de la flash en un seul dispositif. Crédit – Lancaster University
