En janvier 2012, Bridgelux et Toshiba avaient signé un accord commun pour le développement des technologies LED en GaN sur substrat de silicium de 8 pouces ainsi que la production de masse de LED blanches.
Ces deux étapes ont été atteintes en utilisant les technologies de croissance cristalline et de dispositifs à diodes électroluminescentes (DEL) de Bridgelux combinées aux technologies de fabrication et procédés évolués sur silicium de Toshiba.
Selon les 2 entités, cette collaboration stratégique permet maintenant d’envisager de nouvelles opportunités économiques à partir de cette collaboration étendue pour les puces LED de prochaine génération et les boîtiers ou plates-formes articulés autour de la technologie en GaN sur substrat de silicium.
"Notre accord avec Toshiba marque une étape fondamentale de notre longue collaboration historique mutuelle, puisqu’il permettra à Bridgelux de capitaliser sur les valeurs fortes de notre plate-forme technologique LED, en nous apportant des nouveaux capitaux importants pour la croissance et en réduisant nos dépenses d’investissement", a déclaré Brad Bullington, PDG de Bridgelux. "Cet accord nous permet également de nous concentrer sur notre savoir-faire particulier, et sur les exigences du marché que nous jugeons prioritaires à ce stade : la commercialisation, la mise en production et la mise sur le marché de technologies d’éclairage électroluminescent (SSL) faisant appel à des diodes électroluminescentes (LED), avec un partenaire de fabrication de semi-conducteurs de rayonnement international. Nous avons fait un pas de plus pour devenir la première entreprise de conception technologique d’éclairage à semi-conducteurs."
"Nous sommes enthousiasmés par cet accord, en sachant que l’acquisition de la technologie GaNSi et actifs connexes contribuera au renforcement radical de notre activité LED, en nous apportant un large éventail de produits hautes performances et compétitifs" a déclaré pour sa part Makoto Hideshima, vice-président de l’entreprise Toshiba. "En amorçant cette nouvelle phase des relations avec Bridgelux, nous serons en mesure d’accélérer la fabrication adaptée de plaquettes LED en GaN sur substrat de silicium de 8 pouces, qui positionnera les deux entreprises sur une forte croissance de leurs activités LED respectives. La technologie GaN-on-Si que nous acquérons nous permettra également de réaliser une percée dans le développement et la production des dispositifs d’alimentation."
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