Dans le domaine des semi-conducteurs bidimensionnels, une équipe de chercheurs de Penn State a mis au point une méthode innovante pour remédier à un défaut connu sous le nom de “jumeau miroir”.
Ce problème, qui affecte la performance des dispositifs électroniques tels que les transistors, a été un obstacle majeur dans la progression de l’électronique de nouvelle génération pour des applications telles que l’intelligence artificielle et l’Internet des objets.
Les semi-conducteurs bidimensionnels sont au cœur des avancées technologiques récentes, notamment dans la conception de dispositifs électroniques ultra-minces. Cependant, la création de ces matériaux présente des défis uniques, dont l’un est la formation d’un défaut connu sous le nom de “jumeau miroir”.
Ce défaut se produit lorsque le matériau est déposé sur des substrats monocristallins comme le saphir. Il est caractérisé par la présence de frontières de grain qui agissent comme un miroir, avec l’arrangement des atomes de chaque côté organisé en opposition réfléchie. Les électrons se dispersent lorsqu’ils rencontrent ces frontières, ce qui réduit les performances des dispositifs électroniques.
Une solution à la problématique des jumeaux miroir
Face à ce défi, l’équipe de chercheurs dirigée par Joan Redwing, directeur du consortium de cristaux bidimensionnels de Penn State (2DCC-MIP), a élaboré une solution ingénieuse. Ils ont développé une nouvelle méthode pour la fabrication de nanofeuilles monocouches de diséléniure de tungstène, un semi-conducteur 2D prometteur, en utilisant la déposition chimique en phase vapeur de métal organique (MOCVD).
“Pour obtenir des feuilles monocouches avec un haut degré de perfection cristalline, nous avons utilisé des plaquettes de saphir comme modèle pour aligner les cristaux de diséléniure de tungstène alors qu’ils se déposent par MOCVD sur la surface de la plaquette”, explique Redwing.
Mais malgré l’utilisation de cette technique, les cristaux de diséléniure de tungstène peuvent s’aligner dans des directions opposées sur le substrat de saphir, créant la fameuse frontière jumelle miroir. Pour remédier à ce problème, les chercheurs ont exploité des “marches” sur la surface du saphir. Ces marches, d’une hauteur atomique, ont permis un meilleur alignement des cristaux de diséléniure de tungstène, et par conséquent, une réduction significative des défauts jumeaux miroir.
Les implications de cette recherche
Cette recherche a non seulement abouti à une avancée majeure dans la synthèse de semi-conducteurs 2D, mais elle a également ouvert la voie à de nouvelles opportunités. Par exemple, elle a permis de démontrer que l’orientation des cristaux de diséléniure de tungstène sur le saphir peut être contrôlée en variant la pression dans le réacteur MOCVD.
Les résultats de cette étude ont des implications importantes pour l’avenir de l’électronique de nouvelle génération. “Des applications telles que l’intelligence artificielle et l’Internet des objets nécessiteront de nouvelles améliorations de performance ainsi que des moyens de réduire la consommation d’énergie des appareils électroniques”, conclut Redwing.
En synthèse
L’étude de l’équipe de recherche de Penn State, publiée dans Nature Nanotechnology, présente une avancée significative dans le domaine des semi-conducteurs 2D. En mettant au point une méthode pour éliminer le défaut de jumeaux miroir dans le diséléniure de tungstène, les chercheurs ouvrent la voie à de nouvelles améliorations de performance pour les applications électroniques de nouvelle génération.
Pour une meilleure compréhension
Qu’est-ce que le défaut de jumeaux miroir ?
Le défaut de jumeaux miroir se produit lorsqu’un matériau est déposé sur des substrats monocristallins. Il est caractérisé par la présence de frontières de grain qui agissent comme un miroir, avec l’arrangement des atomes de chaque côté organisé en opposition réfléchie.
Comment ce défaut a-t-il été surmonté ?
Les chercheurs ont utilisé la technique de déposition chimique en phase vapeur de métal organique (MOCVD) pour fabriquer des nanofeuilles monocouches de diséléniure de tungstène. Ils ont ensuite exploité des “marches” sur la surface du substrat de saphir pour obtenir un meilleur alignement des cristaux, ce qui a permis de réduire les défauts jumeaux miroir.
Quelles sont les implications de cette recherche ?
Cette recherche a des implications importantes pour l’avenir de l’électronique de nouvelle génération, notamment pour des applications telles que l’intelligence artificielle et l’Internet des objets.
Qu’est-ce que le diséléniure de tungstène ?
Le diséléniure de tungstène est un semi-conducteur bidimensionnel. Il appartient à une classe de matériaux appelés dichalcogénures de métaux de transition qui présentent des propriétés semi-conductrices souhaitables pour l’électronique avancée.
La déposition chimique en phase vapeur de métal organique (MOCVD) est une technologie de fabrication de semi-conducteurs qui est utilisée pour déposer des couches monocristallines sur un substrat. Ce procédé permet de créer des structures extrêmement fines et uniformes, essentielles à la production de dispositifs électroniques avancés.
L’équipe de chercheurs a publié leurs travaux dans la revue Nature Nanotechnology.
Légende illustration principale : équipe de chercheurs dirigée par l’État de Pennsylvanie a découvert que des étapes à l’échelle atomique sur des substrats de saphir permettent d’aligner les cristaux de matériaux 2D lors de la fabrication de semi-conducteurs. La manipulation de ces matériaux pendant la synthèse peut réduire les défauts et améliorer les performances des dispositifs électroniques. Crédit : Jennifer McCann/Penn State / Penn State.
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