Infineon mise sur le GaN pour optimiser la performance des centres de données IA

Dans un contexte où les technologies émergentes redéfinissent les standards industriels, la recherche d’efficacité énergétique et de solutions durables s’impose comme une priorité. Les semi-conducteurs, longtemps considérés comme des composants techniques de base, se positionnent désormais au cœur des innovations majeures. Une entreprise, en particulier, attire l’attention par son rôle prépondérant dans cette transition : Infineon Technologies AG. En exploitant des matériaux avancés tels que le nitrure de gallium (GaN), elle façonne des applications qui répondent aux besoins croissants des secteurs technologiques et environnementaux.

Le nitrure de gallium, ou GaN, représente une alternative significative aux matériaux traditionnels utilisés dans la fabrication de semi-conducteurs. Ce composé permet non seulement d’améliorer les performances des dispositifs, mais aussi de réduire leur poids et leurs dimensions tout en abaissant les coûts globaux. Lors des dernières années, les adaptateurs USB-C ont constitué le premier marché à adopter largement cette technologie. Toutefois, l’essor du GaN ne s’arrête pas là. D’autres industries, telles que les télécommunications, l’électronique grand public et les centres de données dédiés à l’intelligence artificielle, commencent à intégrer ce matériau dans leurs systèmes.

Dans une déclaration récente, Johannes Schoiswohl, responsable de la ligne de produits GaN chez Infineon, souligne l’importance croissante des systèmes d’alimentation intégrés, rendus possibles par les progrès réalisés avec le GaN : “Infineon est déterminée à accélérer la décarbonisation et la digitalisation grâce à une innovation continue avec le silicium, le carbure de silicium et le nitrure de gallium.”

Des applications dans les centres de données AI

Les centres de données alimentant les technologies d’intelligence artificielle représentent un domaine où le GaN joue un rôle clé. Ces infrastructures, dont la demande énergétique augmente de manière exponentielle, nécessitent des solutions capables de gérer des charges électriques massives. Alors que les alimentations passent progressivement de 3,3 kW à 5,5 kW, voire au-delà de 12 kW pour certaines unités, la densité de puissance devient un facteur critique. Le GaN, associé au silicium et au carbure de silicium, offre une combinaison optimale entre efficacité, compacité et coût.

Des configurations hybrides impliquant ces matériaux permettent de maximiser les performances tout en minimisant l’encombrement physique des racks de serveurs. Cette approche répond aux exigences des opérateurs de centres de données confrontés à des contraintes spatiales strictes et à des besoins énergétiques élevés.

Un impact notable sur les appareils domestiques

Dans le secteur des appareils électroménagers, le GaN commence également à marquer sa présence. Les fabricants cherchent à améliorer l’efficacité énergétique des machines telles que les lave-linge, les sèche-linge, les réfrigérateurs et les pompes à chaleur. Pour des applications de 800 W, une augmentation de 2 % de l’efficacité énergétique peut être obtenue grâce à l’utilisation du GaN. Cela aide les fabricants à respecter les normes strictes imposées par les réglementations environnementales.

En outre, l’adoption du GaN dans les véhicules électriques (VE) promet de transformer les systèmes de recharge embarqués et les convertisseurs DC-DC. Ces dispositifs contribuent à améliorer l’efficacité de la charge, la densité de puissance et la durabilité des matériaux. Les systèmes de traction inverter pour VE fonctionnant à 400 V ou 800 V bénéficieront également de l’intégration du GaN avec le carbure de silicium, augmentant ainsi l’autonomie des véhicules.

Robotique et drones : Une nouvelle ère de conception compacte

La robotique constitue un autre domaine où le GaN pourrait avoir un impact durable. Les robots de livraison, les robots de soins et les humanoïdes profitent déjà des avantages offerts par ce matériau. Grâce à leur capacité à réduire la taille tout en maintenant des performances élevées, les dispositifs basés sur le GaN simplifient la conception des systèmes électromagnétiques et réduisent la nécessité de dissipateurs thermiques externes. Des innovations telles que l’intégration directe des onduleurs dans le châssis des moteurs facilitent également la conception des systèmes robotiques modernes.

Avec l’évolution des technologies d’intelligence artificielle telles que le traitement du langage naturel et la vision par ordinateur, le besoin d’une efficacité accrue dans les conceptions compactes devient encore plus pressant. Le GaN répond à cette attente en fournissant des solutions adaptées aux exigences spécifiques de ces applications.

Infineon Technologies AG a réalisé des investissements importants dans la recherche et le développement autour du GaN. Parmi leurs innovations figurent la production de wafers de GaN de 300 mm et le développement de transistors à commutation bidirectionnelle (BDS). Ces efforts renforcent leur position de leader dans l’utilisation des matériaux semi-conducteurs avancés pour répondre aux défis actuels et futurs.

Légende illustration : Infineon Technologies prévoit que le nitrure de gallium révolutionnera l’efficacité énergétique et la décarbonisation dans de nombreuses industries.

Infineon Technologies AG est un leader mondial des semi-conducteurs dans les systèmes d’alimentation et l’IdO. Infineon favorise la décarbonisation et la numérisation grâce à ses produits et solutions. La société comptait environ 58 060 employés dans le monde (fin septembre 2024) et a généré un chiffre d’affaires d’environ 15 milliards d’euros au cours de l’exercice 2024 (clos le 30 septembre). Infineon est cotée à la bourse de Francfort (symbole boursier : IFX) et aux États-Unis sur le marché hors cote international OTCQX (symbole boursier : IFNNY).

Source : CP Infineon