La technologie évolue constamment, poussant les limites de ce que l’on croyait possible. Aujourd’hui, des chercheurs de Flinders University et de l’Université de Nouvelle-Galles du Sud (UNSW) ont franchi une nouvelle étape dans le domaine des matériaux ferroélectriques, ouvrant la voie à des dispositifs capables de penser et d’apprendre de manière similaire au cerveau humain. Cette découverte pourrait transformer nos interactions quotidiennes avec la technologie, rendant nos appareils plus intelligents, plus rapides et plus écoénergétiques.
Les murs de domaine ferroélectriques, bien que presque invisibles et extrêmement minces (de 1 à 10 nm), jouent un rôle essentiel dans les cristaux ferroélectriques. Ces frontières, qui séparent des régions de charges liées orientées différemment, ont été manipulées par les chercheurs. En appliquant des champs électriques, ils ont réussi à altérer leur forme et leur position, permettant ainsi un contrôle précis de leurs propriétés électroniques.
Ces manipulations ont été décrites par le Dr Pankaj Sharma de Flinders University, qui a souligné l’importance de cette découverte : «Avec cette nouvelle conception, les murs de domaine ferroélectriques dans les matériaux ferroélectriques cristallins sont prêts à alimenter une nouvelle génération de dispositifs de mémoire adaptatifs, nous rapprochant d’une électronique plus rapide, plus verte et plus intelligente.»
Les memristors
Les chercheurs ont réussi à transformer un seul mur de domaine ferroélectrique en un memristor. Ce type de dispositif peut stocker l’information à différents niveaux et conserver la mémoire de son activité électrique, similairement aux synapses dans le cerveau humain. Le professeur Jan Seidel de l’UNSW a précisé : «La clé réside dans l’interaction entre l’ancrage de la surface du mur (où il est fixé) et sa liberté de se tordre ou de se déformer plus profondément dans le matériau.»
Les modifications de forme du mur de domaine permettent ainsi de créer un spectre d’états électroniques, favorisant un stockage de données à plusieurs niveaux et augmentant la stabilité et la fiabilité des dispositifs.
Le développement de ces technologies pourrait révolutionner non seulement la manière dont les données sont stockées et traitées mais aussi comment l’énergie est utilisée dans les systèmes électroniques. Les dispositifs électroniques pourraient devenir beaucoup plus efficaces énergétiquement, un aspect particulièrement pertinent pour des tâches comme la reconnaissance d’image et de voix.
Les techniques employées pour observer et modéliser ces phénomènes incluent une microscopie avancée et une modélisation théorique des champs de phases, révélant les mécanismes physiques derrière ces transitions électroniques induites par la déformation.
Cette recherche ouvre de nouvelles perspectives dans le domaine de l’électronique neuromorphique et du calcul en mémoire. En imitant le fonctionnement du cerveau humain, ces dispositifs promettent non seulement une amélioration de la performance mais aussi une réduction significative de l’empreinte énergétique des technologies de l’information.
Légende illustration : Pankaj Sharma, maître de conférences à l’université Flinders, est un physicien expérimental de la matière condensée, spécialisé dans la science et l’ingénierie des matériaux à l’échelle nanométrique. Crédit :UNSW / FLEET
Article : ‘Ferroelectric Domain Wall Warp Memristor’ / ( 10.1021/acsami.4c16347 ) – Flinders University – Publication dans la revue ACS Applied Materials & Interfaces
