La communauté scientifique s’efforce depuis des décennies de trouver divers moyens d’accroître l’efficacité des panneaux solaires photovoltaïques dont les taux de conversion gravitent actuellement entre 15% et 20%.
La compagnie RoseStreet Labs Energy (RSLE) affirme avoir trouvé une solution qui intègre trois couches distinctes d’absorbtion de lumière dans une seule cellule solaire en couche mince. Chaque couche est en mesure de capter une partie différente du spectre du soleil, ce qui porterait le rendement total à un taux supérieur à 35%.
En effet, un type de semi-conducteur est caractérisé par une longueur d’onde maximale au-delà de laquelle il est incapable de convertir le photon en énergie électrique.
RSLE est le premier à utiliser la technologie IBand dans une installation solaire de démonstration. L’idée était d’intégrer trois couches – chaque couche capturant une partie différente du spectre. La triple bande en couches minces pourrait propulser les panneaux solaires à un nouveau stade de développement, et plus encore, si ces derniers étaient associés à une technologie à concentration.
« Bien que nous soyons encore loin d’une production en série – pas avant 4 ans – , cette évolution ouvre une nouvelle voie aux dispositifs semi-conducteurs destinés à la conversion photovoltaïque et autres applications de pointe« , a déclaré Bob Forcier, directeur général du RSLE.
Les nouvelles cellules solaires ont été développées en utilisant le procédé de « dépôt chimique en phase vapeur » (CVD : Chemical vapor deposition), un process déjà usité par l’industrie des semi-conducteurs.
Cet article est bien sympatique mais il pourrait au moins signaler quels sont les semi conducteurs employés . S’il s’agit encore d’une variante du csci comprenant de l’indium (trés cher et trés rare ) il ne s’agirait en aucun cas d’une avancée
Il semble que se soit du Nitrure de silicium….
Michel soulève un problème important : celui des terres rares outre leur rareté (comme leur nom l’indique…) et donc leur prix, il faut aussi avoir en tête que les réserves de TR commues à ce jour sont localisés essentiellement en Chine, et (presque tout) le reste en Australie. Petit aspect géo politique non négligeable…
Bonjour D’après les documents de la société , la triple jonction est composée: n-Si/p-Si/n-InGaN/p-InGaN En jouant sur les proportions entre l’Indium et la Gallium, on modifie le gap de la couche. Il est intéressant de noter que la jonction p-Si/n-InGaN possède une très faible résistance de contact (
Merci beaucoup pour ce complément d’investigation.. La rédaction