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Utiliser du papier de verre pour polir les semi-conducteurs… pour le traitement des puces IA

(De gauche à droite) Dr Sukkyung Kang, professeur Sanha Kim du département de génie mécanique (Crédit : KAIST)

Utiliser du papier de verre pour polir les semi-conducteurs… pour le traitement des puces IA

par La rédaction
20 février 2026
en Nanotechnologie, Technologie

Les performances et la stabilité des smartphones et des services d’intelligence artificielle (IA) dépendent de l’uniformité et de la précision du traitement des surfaces des semi-conducteurs. Des chercheurs du KAIST ont étendu le concept familier du papier de verre au domaine des nanotechnologies, développant une nouvelle technique capable de traiter les surfaces des semi-conducteurs de manière uniforme jusqu’au niveau atomique. Cette technologie démontre le potentiel d’améliorer significativement la qualité de surface et la précision d’usinage dans les procédés de semi-conducteurs avancés, tels que la mémoire à haute bande passante (HBM).

Le KAIST a annoncé le 11 février qu’une équipe de recherche dirigée par le professeur Sanha Kim du Département de génie mécanique a développé un « nano papier de verre » qui utilise des nanotubes de carbone – des dizaines de milliers de fois plus fins qu’un cheveu humain – comme abrasifs. Cette technologie permet un usinage de surface plus précis que les procédés de fabrication de semi-conducteurs existants, tout en réduisant le fardeau environnemental généré lors de la fabrication, présentant ainsi une nouvelle technique de planarisation.

Bien que le papier de verre soit un outil familier utilisé pour lisser les surfaces par frottement, il a été difficile de l’appliquer à des domaines comme les semi-conducteurs, où un usinage de surface extrêmement précis est requis. Cette limitation provient du fait que le papier de verre conventionnel est fabriqué en collant des particules abrasives avec des adhésifs, ce qui rend difficile la fixation uniforme de particules extrêmement fines.

Pour surmonter ces limitations, l’industrie des semi-conducteurs a adopté un processus de planarisation appelé polissage chimico-mécanique (CMP), qui utilise une suspension chimique dans laquelle des particules abrasives sont dispersées dans un liquide. Cependant, cette méthode nécessite des étapes de nettoyage supplémentaires et génère de grandes quantités de déchets, rendant le processus complexe et lourd pour l’environnement.

Schéma du papier abrasif nano 
Schéma du papier abrasif nano (Crédit: KAIST)

Pour résoudre ces problèmes, l’équipe de recherche a étendu le concept du papier de verre à l’échelle nanométrique. En alignant verticalement des nanotubes de carbone, en les fixant dans du polyuréthane et en les exposant partiellement à la surface, ils ont mis en œuvre un « nano papier de verre« . Cette structure supprime structurellement le détachement des abrasifs, éliminant les risques d’endommagement de la surface et maintenant des performances stables même après une utilisation répétée.

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Le nano papier de verre développé dans cette étude atteint une densité abrasive environ 500 000 fois plus élevée que celle du papier de verre le plus fin disponible commercialement. La précision du papier de verre s’exprime en termes de densité abrasive (numéro de grain), qui indique la densité de répartition des particules abrasives sur la surface. Alors que le papier de verre courant varie généralement de 40 à 3000 grains, le nano papier de verre dépasse 1 000 000 000 de grains. Grâce à cette structure extrêmement dense, les surfaces ont pu être traitées avec une précision allant jusqu’à quelques nanomètres – équivalente à l’épaisseur de seulement quelques atomes.

L’efficacité du nano papier de verre a été confirmée par des expériences. Des surfaces de cuivre rugueuses ont été polies jusqu’à une finesse au niveau nanométrique, et dans des expériences de planarisation de motifs semi-conducteurs, la technique a réduit les défauts de creusement jusqu’à 67 % par rapport aux procédés CMP conventionnels. Les défauts de creusement désignent le phénomène par lequel le centre des lignes d’interconnexion devient concave, un défaut majeur affectant les performances et la fiabilité des semi-conducteurs avancés comme la HBM.

En particulier, comme les matériaux abrasifs sont fixés sur la surface du papier de verre, la technologie ne nécessite pas l’alimentation continue de solutions de suspension comme dans les procédés conventionnels. Cela réduit les étapes de nettoyage et élimine les boues abrasives usagées, présentant la possibilité de faire évoluer la fabrication des semi-conducteurs vers des procédés plus respectueux de l’environnement.

L’équipe de recherche s’attend à ce que cette technologie puisse être appliquée aux procédés de planarisation de semi-conducteurs avancés comme la HBM utilisée dans les serveurs IA, ainsi qu’aux procédés de collage hybride, qui gagnent en attention en tant que technologies d’interconnexion de nouvelle génération. L’étude est également significative en ce qu’elle étend le concept quotidien du papier de verre à une technologie de traitement de précision nanométrique, suggérant la possibilité de sécuriser les technologies clés requises pour la fabrication de semi-conducteurs.

Le professeur Sanha Kim a déclaré : « Il s’agit d’une étude originale démontrant que le concept quotidien du papier de verre peut être étendu à l’échelle nanométrique et appliqué à la fabrication ultra-précise de semi-conducteurs », ajoutant : « Nous espérons que cette technologie conduira non seulement à une amélioration des performances des semi-conducteurs, mais aussi à des procédés de fabrication respectueux de l’environnement. » 

Article : Carbon nanotube sandpaper for atomic-precision surface finishing – Journal : Advanced Composites and Hybrid Materials – Méthode : Meta-analysis – DOI : Lien vers l’étude

Source : KAIST

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Tags: iananotechnologiepolissagesemiconducteur
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Commentaires 1

  1. Shadok says:
    il y a 8 mois

    Polir ses CPU et le radiateur pour améliorer leur refroidissement n’est pas nouveau. Je le fais depuis des années avec du Miror destiné à polir le métal : j’arrive à réduire la température jusqu’à 5°C avec le ventirad d’origine.

    Répondre

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The performance and stability of smartphones and artificial intelligence (AI) services depend on how uniformly and precisely semiconductor surfaces are processed. KAIST researchers have expanded the concept of everyday “sandpaper” into the realm of nanotechnology, developing a new technique capable of processing semiconductor surfaces uniformly down to the atomic level. This technology demonstrates the potential to significantly improve surface quality and processing precision in advanced semiconductor processes such as high-bandwidth memory (HBM).

KAIST (President Kwang Hyung Lee) announced on the 11th of February that a research team led by Professor Sanha Kim of the Department of Mechanical Engineering has developed a “nano sandpaper” that utilizes carbon nanotubes—tens of thousands of times thinner than a human hair—as abrasive materials. This technology enables more precise surface processing than existing semiconductor manufacturing processes, while also reducing environmental burdens generated during fabrication, presenting a new planarization technique.

Although sandpaper is a familiar tool used to smooth surfaces by rubbing, it has been difficult to apply it to fields such as semiconductors, where extremely precise surface processing is required. This limitation arises because conventional sandpaper is manufactured by attaching abrasive particles with adhesives, making it difficult to uniformly secure extremely fine particles.

To overcome such limitations, the semiconductor industry has adopted a planarization process known as chemical mechanical polishing (CMP), which uses a chemical slurry in which abrasive particles are dispersed in liquid. However, this method requires additional cleaning steps and generates large amounts of waste, making the process complex and environmentally burdensome.

To address these issues, the research team extended the concept of sandpaper to the nanoscale. By vertically aligning carbon nanotubes, fixing them inside polyurethane, and partially exposing them on the surface, they implemented a “nano sandpaper.” This structure structurally suppresses abrasive detachment, eliminating concerns about surface damage and maintaining stable performance even after repeated use.

The nano sandpaper developed in this study achieves an abrasive density approximately 500,000 times higher than that of the finest commercially available sandpaper. The precision of sandpaper is expressed in terms of “abrasive density (grit number),” which indicates how densely abrasive particles are arranged on the surface. While everyday sandpaper typically ranges from 40 to 3000 grit, the nano sandpaper exceeds 1,000,000,000 grit. Through this extremely dense structure, surfaces could be processed with precision down to several nanometers—equivalent to the thickness of only a few atoms.

The effectiveness of the nano sandpaper was confirmed through experiments. Rough copper surfaces were polished to a smoothness at the nanometer level, and in semiconductor pattern planarization experiments, the technique reduced dishing defects by up to 67% compared with conventional CMP processes. Dishing defects refer to the phenomenon in which the center of interconnect lines becomes recessed, a major defect affecting the performance and reliability of advanced semiconductors such as HBM.

In particular, because the abrasive materials are fixed on the sandpaper surface, the technology does not require continuous supply of slurry solutions as in conventional processes. This reduces cleaning steps and eliminates waste slurry, presenting the possibility of transitioning semiconductor manufacturing toward more environmentally friendly processes.

The research team expects that this technology can be applied to advanced semiconductor planarization processes such as HBM used in AI servers, as well as to hybrid bonding processes, which are gaining attention as next-generation semiconductor interconnection technologies. The study is also significant in that it expands the everyday concept of sandpaper into nano-precision processing technology, suggesting the possibility of securing core technologies required for semiconductor manufacturing.

Professor Sanha Kim stated, “This is an original study demonstrating that the everyday concept of sandpaper can be extended to the nanoscale and applied to ultra-fine semiconductor manufacturing,” adding, “We hope this technology will lead not only to improved semiconductor performance but also to environmentally friendly manufacturing processes.”

In this study, Dr. Sukkyung Kang of the Department of Mechanical Engineering participated as the first author. The research was recognized for its excellence by receiving the Gold Prize (1st place) in the Mechanical Engineering Division at the 31st Samsung Human Tech Paper Award, hosted by Samsung Electronics. The findings were published online on January 8, 2026, in the international journal Advanced Composites and Hybrid Materials (IF 21.8).
※ Paper title: “Carbon nanotube sandpaper for atomic-precision surface finishing”
DOI: https://doi.org/10.1007/s42114-025-01608-3

This research was supported by the National Research Foundation of Korea (Mid-Career Researcher Program; Ministry of Science and ICT, NRF, RS-2025-00560856), the Glocal Lab Program (Ministry of Education, NRF, RS-2025-25406725), the InnoCORE Program (Ministry of Science and ICT, NRF, N10250154), and the KAIST Up Program.

 

 

Journal

Advanced Composites and Hybrid Materials

DOI

10.1007/s42114-025-01608-3

Method of Research

Meta-analysis

Subject of Research

Not applicable

Article Title

Carbon nanotube sandpaper for atomic-precision surface finishing

Article Publication Date

8-Jan-2026

COI Statement

Sukkyung Kang,  Ji-hun Jeong,  Hyun Jun Ryu,  Gunhoo Park &  Sanha Kim

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