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Accord franco-américain pour servir le marché de l’arseniure de gallium

par La rédaction
16 décembre 2013
en Renouvelable, Solaire

Soitec, le spécialiste grenoblois des matériaux semi-conducteurs pour l’électronique et l’énergie a annoncé la semaine dernière avoir conclu un accord de collaboration avec le Texan ‘Intelligent Epitaxy Technology**’ afin de répondre au mieux, aux besoins du marché des plaques d’arséniure de gallium (GaAs).

Ce partenariat devrait créer la deuxième source d’approvisionnement attendue par les acteurs du marché du GaAS.

Selon les termes de cet accord, IntelliEPI bénéficie d’une licence pour l’utilisation de la technologie de Soitec dont le périmètre pourra être étendu, y compris au transfert d’équipements, afin de répondre à d’éventuelles nouvelles opportunités de marché.

"Nous sommes ravis d’annoncer cette licence de notre technologie créant pour nos principaux clients GaAs une seconde source d’approvisionnement", a déclaré Bernard Aspar, vice-président senior et directeur général de l’entité Communication & Power de Soitec.

"Cet accord de collaboration nous permet de renforcer notre technologie GaAs et notre savoir-faire en termes de produits, tout en sécurisant la chaîne logistique des clients de Soitec", a indiqué Yung-Chung Kao, président et CEO de IntelliEPI.

L’arséniure de gallium (GaAs) est un semi-conducteur composé de deux éléments, le gallium et l’arsenic. Il s’agit d’un semi-conducteur III-V utilisé dans la fabrication de composants comme les circuits hyperfréquences intégrés, les circuits intégrés hyperfréquences monolithiques, les diodes émettrices de lumière infrarouge, les diodes laser, ainsi que les cellules solaires et les fenêtres optiques. Le GaAs est souvent utilisé en tant que substrat pour la croissance épitaxiale d’autres semi-conducteurs III-V, dont les alliances connexes InGaAs et GaInNAs.

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** fournisseur de plaques épitaxiées de phosphure d’indium (InP), d’arséniure de gallium (GaAs) et de antimonide de gallium (GaSb) pour les industries de l’électronique et de l’optoélectronique.

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