Des chercheurs de l'Institut Fraunhofer de physique des solides appliquée IAF ont développé un module d'électronique de puissance à base de nitrure de gallium (GaN) pour les systèmes de charge bidirectionnelle en courant continu (CC) de 800 V. Ce module fait partie du projet GaN4EmoBiL (« Semi-conducteurs de puissance GaN pour la mobilité électrique et l'intégration systèmes via la charge bidirectionnelle...
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